金属氧化物半导体集成电路 基本解释

简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。

金属氧化物半导体集成电路 详细解释

金属氧化物半导体集成电路 jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù
词语意思：
简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。
分词解释：
互补：
①互为补角。
②互相补充：沿海和内地互通有无，互补互利。
应用：
①使用：应用方法｜理论应用于具体实践。
②具有实用价值的：应用文｜基础理论和应用技术同样重要。
构成：
①形成；造成：眼镜由镜片和镜架构成ㄧ违法情节轻微，还没有构成犯罪。
②结构
①：研究所目前的人员构成不尽合理。
功耗：
功率的损耗。电路中通常指元、器件上耗散的热能。有时也指整机或设备所需的电源功率。
工艺：
①将原材料或半成品加工成产品的工作、方法、技术等：工艺复杂ㄧ工艺精细。
②手工艺：工艺品。

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